AI芯片、碳化硅等半導體細分領域的逆勢增長，給予行業更多信心。在全球半導體產業低迷周期，英飛凌、英特爾仍在蟄伏擴產蓄能，爲今後的產業復蘇做准備，以搶佔未來市場機會。

英飛凌官宣：擴大碳化硅產能

當地時間8月3日，功率半導體大廠英飛凌宣布，計劃在未來五年內投資高達50億歐元，用於在馬來西亞建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠。

該計劃的背後是客戶的承諾與支持，英飛凌表示擴建計劃已得到客戶約50億歐元design-win合同，以及約10億歐元的預付款。其中，在汽車領域有6家車廠客戶，包括福特、上汽和奇瑞等。

英飛凌指出，在接下來的5年內，將針對居林第三座廠房的第二期建設階段，投入高達50億歐元的額外投資，這樣一來，居林廠計劃投資總額從20億歐元增至70億歐元。再加上奧地利菲拉赫(Villach)和居林的8英寸碳化硅轉換計劃，此項投資預計將爲英飛凌在2030年帶來約70億歐元的碳化硅年收益潛力。這項具高度競爭力的制造基地，也將爲英飛凌在2030年達到碳化硅市場30%市佔率的目標提供有力的支援。英飛凌預估，公司在2025會計年度的碳化硅營收將超越10億歐元的目標。

爲了加強碳化硅布局，此前英飛凌與天科合達、天岳先進合作，兩家國內廠商將爲英飛凌供應6英寸SiC材料；與鴻海集團已籤訂一份合作備忘錄，雙方將聚焦於碳化硅技術在電動車大功率應用的導入；並與賽米控丹佛斯籤署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協議。根據協議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產。

除了英飛凌，安森美與博格華納擴大碳化硅（SiC）方面的战略合作，協議總價值超10億美元；Wolfspeed與車用芯片廠商瑞薩電子籤10年SiC長單；三菱電機與Coherent（前 II-VI ）達成合作，雙方將共同致力於擴大8英寸SiC器件的生產規模。

與傳統硅基材料相比，碳化硅具有大禁帶寬度、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導率、高抗輻射等特點，適合制造高溫、高壓、高頻、大功率的器件，由此被廣泛應用於汽車領域、太陽能、儲能和高功率電動車充電等領域。

當前，碳化硅市場正加速成長。據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預計，隨着安森美、英飛凌等與汽車、能源業者合作項目明朗化，2023年整體碳化硅功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%。2026年碳化硅功率元件市場規模可望達53.3億美元，而由主流應用之一的電動汽車帶來的產值將達39.8億美元。

英特爾或規劃數十億美元擴建

據外媒《tomshardware》報道，處理器大廠英特爾已提交一份申請，概述了將在未來5年內，於美國俄勒岡州Hillsboro附近的戈登摩爾公園(Gordon Moore Park)園區內的制造基地中，進行全面性的擴建計劃。預計將建設其D1X研發(R&D)中心與先進制程晶圓廠的第四期據點，並重建已有數十年歷史的D1A晶圓廠。

另據OregonLive報道，英特爾在申請計劃中表示，有意改造其地標性的研發基地。盡管英特爾沒有具體說明這些項目將耗費多少的經費，不過，依據之前升級D1X的第三期據點，總計耗資超過30億美元，並使得整個園區的面積增加超過100萬平方英尺來看，考慮到英特爾本次的計劃不僅要建設D1X研發中心與先進制程晶圓廠的第四期據點，還要重建其已有30年歷史的D1A晶圓廠、建造更多建築物以及支援未來的相關生產，並加強各項新功能的情況下，預計金額將會超過先前投資的30億美元金額。英特爾預計設備安裝最快將自2025年开始，整體擴張計劃將在2028年完成。

現階段，英特爾在戈登摩爾公園園區內擁有5座晶圓廠，其中，最新的旗艦級D1X是研發中心與先進制程晶圓廠；D1A是於20世紀80年代興建的晶圓廠；D1B和D1C均生產10nm芯片；D1D晶圓廠能生產7nm芯片。在當地，英特爾聘僱了22000名員工，是俄勒岡州目前最大的企業僱主。

而英特爾在美國的芯片版圖包括俄亥俄州哥倫布晶圓廠綜合體、亞利桑那州兩座晶圓廠、新墨西哥州芯片工廠。

此外，值得注意的是，許可證申請代表的是英特爾的意圖，而不是正式的承諾。盡管英特爾尚未就其俄勒岡園區的這些計劃正式宣布，但CEO帕特·基辛格（PatGelsinger）在5月份表示希望該晶圓廠產能大幅增長。

本次擬議的擴張計劃，標志着英特爾及俄勒岡州的重要轉折點。倘若本次擬議的开發項目遵循俄勒岡州先前擴張的模式，投資可能達到數十億美元，將是俄勒岡州歷史上最重要的資本項目之一。這種擴建項目可以創造數百甚至數千個就業機會。

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